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专利名称：基于多结构耦合的微型电场传感器及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：彭春荣,修日,任仁,毋正伟,夏善红申请号：CN2019106672.8申请日：20190920公开号：CN112540239A公开日：20210323
摘要：一种基于多结构耦合的微型电场传感器，包括：所述微型电场传感器包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、电极单元和固定单元；其中：所述第一谐振器和第二谐振器之间、第三谐振器和第二谐振器之间通过电容耦合或机械梁耦合连接，第一谐振器和第三谐振器分别置于第二谐振器的两侧，且第一谐振器和第三谐振器接参考零电位或一定的参考电位；所述电极单元包括分别安装在第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和固定单元上的激励电极、调谐电极、振动检测电极和电场感应电极，用于通过电极极板间的场强变化来测量所述微型电场传感器所处位置的电场强度。所述的电场传感器具有灵敏度高、结构简单、动态范围和灵敏度可调等优点。
申请人：中国科学院电子学研究所
地址：100190 北京市海淀区北四环西路19号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：吴梦圆
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