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专利名称：光伏型多量子阱红外探测器专利类型：发明专利
发明人：陆卫,王文娟,甄红楼,李天信,陈平平,张波,李宁,李志
锋,陈效双
申请号：CN200710171387.7申请日：20071130公开号：CN101170148A公开日：20080430
摘要：本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
申请人：中国科学院上海技术物理研究所
地址：200083 上海市玉田路500号
国籍：CN
代理机构：上海新天专利代理有限公司
代理人：郭英
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