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专利名称：半导体器件的互连结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：游佳达,李凯璿,陈燕铭,徐志安,杨世海申请号：CN201711290392.X申请日：20171208公开号：CN109427655A公开日：20190305
摘要：一种器件和形成方法，器件包括：导线，设置在衬底上方；第一介电层，设置在衬底上方并且与导线共面；第二介电层和第三介电层，第二介电层设置在导线上方，第三介电层设置在第一介电层上方；以及通孔，延伸穿过第二介电层并且连接至导线。第二介电层和第三介电层共面，并且第二介电层和第三介电层具有不同的组分。在一些实施例中，在导线上选择性地沉积第二介电层。本发明的实施例还涉及半导体器件的互连结构及其制造方法。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：TW
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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