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专利名称：半导体测试结构专利类型：实用新型专利发明人：吴启熙
申请号：CN201620354317.X申请日：20160422公开号：CN205581262U公开日：20160914
摘要：本实用新型公开一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括位于一具有多个有源区的半导体衬底上的第一测试结构和多个第二测试结构，由于第一测试结构与有源区绝缘隔离，多个第二测试结构分别与有源区电连接；第一测试结构同一层的第一测试结构的第一金属互连线和第二测试结构的第二金属互连线交叉排列。应用时，分别向第一测试结构和第二测试结构通电并测试两者之间的电容，确定半导体器件的金属互连线之间是否存在电化学腐蚀，并对腐蚀的程度进行评价，以及时发现电化学腐蚀现象，避免电化学腐蚀所带来的影响，提高了产品的良率。
申请人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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