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专利名称：对硅氧化物和多晶硅的刻蚀方法专利类型：发明专利
发明人：吴长明,冯大贵,欧少敏申请号：CN201911373845.4申请日：20191227公开号：CN111128705A公开日：20200508
摘要：本申请公开了一种对硅氧化物和多晶硅的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有栅氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅多晶硅层，控制栅多晶硅层上形成有硅氮化物层，硅氮化物层和控制栅多晶硅层的表面形成有硅氧化物层，硅氮化物层周侧的硅氧化物层形成侧墙；通过ICP刻蚀设备中对硅氧化物层进行刻蚀，去除硅氮化物层顶层的硅氧化物层且使侧墙减薄，直至控制栅多晶硅层暴露；通过ICP刻蚀设备中对侧墙之间的控制栅多晶硅层进行刻蚀，直至隔离层暴露，形成控制栅。本申请通过ICP刻蚀设备对闪存器件的硅氧化物层和控制栅多晶硅层进行刻蚀，降低了闪存器件的制造工艺的复杂度。
申请人：华虹半导体(无锡)有限公司
地址：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：黎伟
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